專家說UV 導讀：日前，武漢大學和寧波安納半導體公司的研究人員在提高深紫外線LED的光電性能方面取得了重大進展。
 

 

聯合研究團隊提出在深紫外線LED中採用超薄隧道結(UTJ)技術平台，以解決高串聯電阻和深紫外光吸收的難題，並且開發出了275 nm高功率UTJ深紫外線LED，實現了迄今為止最低的5.7 V電壓，團隊解釋這得益於電洞注入電損耗最小化。

 

眾所周知，深紫外光引人入勝的特性及其潛在應用使其成為基礎研究的熱門議題。研究發現，深紫外光的波長範圍（200-280奈米）能破壞細菌和病毒的DNA和RNA，在殺菌和消毒方面非常有效。然而，由於深紫外LED的光輸出功率低、工作電壓高，目前的LED整合深紫外光源很難達到有效照射距離和照射時間的滅菌性能指標。
 

為了解決這些問題，武漢大學的研究人員建議在深紫外線LED中引入UTJ作為直接接觸層，以最大限度地減少電力損耗。上圖顯示了在AlN/Flat Sapphire基板模板上生長的深層紫外線LED外延結構。

 

研究團隊觀察到UTJ高溫生長過程中形成了鎂矽共摻雜的n-AlGaN，並發現UTJ可與高功函數鎳/金電極形成歐姆接觸。此外，他們還利用齊納二極體、氟樹脂和優化設計的玻璃透鏡封裝了UTJ深紫外線LED，從而提高了其可靠性和光學性能。